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GA0805H123KBXBT31G 发布时间 时间:2025/6/5 10:19:43 查看 阅读:10

GA0805H123KBXBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它能够在高频应用中提供高效的电力转换,并具有良好的电磁兼容性。
  该型号中的具体参数可以通过其编码进一步解析:GA代表制造商系列代号,0805表示封装类型(通常为SO-8或TO-252),而后续字符定义了特定的工作参数如电压等级、电流能力及优化设计特性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:5A
  导通电阻:12mΩ
  栅极电荷:30nC
  开关速度:40ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA0805H123KBXBT31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低功率损耗。
  2. 快速开关速度,适合高频应用环境。
  3. 高效散热设计,确保在高功率密度下的稳定性。
  4. 内置反向恢复二极管,减少开关噪声并提高EMI性能。
  5. 紧凑型封装,节省PCB空间,同时提升布局灵活性。
  6. 符合RoHS标准,支持环保要求。
  此器件还经过严格的质量控制流程,保证长期可靠运行。

应用

该功率MOSFET适用于多种电子领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器,特别是在汽车电子和工业自动化系统中。
  3. 电池管理系统(BMS),用于充放电保护和负载均衡。
  4. 电机驱动电路,包括无刷直流电机(BLDC)控制器。
  5. 各类负载切换和保护电路,例如USB充电端口控制。
  由于其出色的电气性能和可靠性,GA0805H123KBXBT31G 成为众多工程师设计时的理想选择。

替代型号

GA0805H124KBXBT31G, IRF540N, FDP057N06L

GA0805H123KBXBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-