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GA0805H122JBXBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 18:20:39 查看 阅读:5

GA0805H122JBXBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低能耗并提升系统效率。
  这款MOSFET为N沟道增强型,其封装形式通常为表面贴装类型,适合高密度电路板设计。它在高温环境下仍能保持稳定的性能表现,因此适用于多种严苛的工作条件。

参数

型号:GA0805H122JBXBR31G
  类型:N沟道功率MOSFET
  额定电压:60V
  额定电流:30A
  导通电阻:4mΩ(典型值)
  栅极电荷:15nC(最大值)
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220

特性

GA0805H122JBXBR31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高整体效率。
  2. 高速开关能力,能够适应高频应用环境。
  3. 良好的热稳定性,在高温条件下依然可以保持稳定的工作状态。
  4. 内置保护功能,例如过流保护和短路保护,提升了系统的安全性。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. 小型化封装便于PCB布局,节省空间。

应用

该芯片适用于以下场景:
  1. 开关电源中的功率级开关元件。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关管。
  3. 电机驱动器中的逆变桥臂组件。
  4. 各类负载切换开关,如电池管理系统中的充放电控制。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的大电流驱动部件。

替代型号

IRF540N
  FDP5580
  STP30NF06L

GA0805H122JBXBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-