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GA0805H122JBBBT31G 发布时间 时间:2025/6/5 10:18:44 查看 阅读:25

GA0805H122JBBBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率并降低热损耗。
  该型号中的具体参数定义包括:'GA'代表产品系列,'0805'表示封装类型为SO8封装,'H122'是内部设计版本号,'JBBT'指代特定的电气特性优化,而最后的'T31G'则表示栅极驱动电压等级和工作温度范围。

参数

导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ@Vgs=10V
  漏源击穿电压(BVDSS):60V
  连续漏极电流(ID):47A
  栅极电荷(Qg):45nC
  输入电容(Ciss):1200pF
  开关速度:典型值13ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

GA0805H122JBBBT31G具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻确保在高电流应用中减少功耗和热量产生。
  2. 高速开关性能使其适合高频开关电源和PWM控制电路。
  3. 内置ESD保护功能增强了器件的可靠性。
  4. 支持宽范围的工作温度,适应各种恶劣环境条件。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  此外,该器件还经过严格的质量测试,适用于工业级和汽车级应用。

应用

这款MOSFET广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 负载切换
  5. 太阳能逆变器
  6. 电动汽车(EV)电池管理系统
  其出色的电气特性和可靠性使它成为众多工程师首选的解决方案。

替代型号

GA0805H122JBBBT31E
  GA0805H122JBBBT31F
  IRF540N
  FDP5500
  STP55NF06L

GA0805H122JBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-