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GA0805H122JBABT31G 发布时间 时间:2025/6/6 13:53:31 查看 阅读:4

GA0805H122JBABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  该芯片属于沟道增强型 MOSFET,通过优化设计减少了开关损耗,并在高频工作条件下表现出优异的性能。

参数

型号:GA0805H122JBABT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  额定电压:60V
  额定电流:10A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:19nC
  最大功耗:3.7W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-263

特性

GA0805H122JBABT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(4.5mΩ),可以有效降低导通损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高达 1MHz 的开关频率。
  3. 内置 ESD 保护电路,提高了芯片在恶劣环境中的抗静电能力。
  4. 热稳定性强,能够在高温环境下长时间可靠运行。
  5. 小尺寸封装,便于 PCB 布局和安装。
  这款 MOSFET 在设计上注重了高效能和高可靠性,适用于各种对效率要求较高的应用场合。

应用

GA0805H122JBABT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):
   - 电脑电源适配器
   - 工业用 DC-DC 转换器
  2. 电机驱动:
   - 无刷直流电机控制器
   - 小型风扇和泵驱动
  3. 充电器:
   - 手机快速充电器
   - 笔记本电脑充电模块
  4. 汽车电子:
   - 车载逆变器
   - 电池管理系统 (BMS)
  由于其低导通电阻和高开关频率,该器件非常适合需要高效能量转换的应用场景。

替代型号

GA0805H122KBAT31G, IRFZ44N, FDP5570N

GA0805H122JBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-