GA0805H103MBXBR31G 是一款高性能的陶瓷多层片式电容器 (MLCC),主要用于射频和微波应用领域。该型号属于高Q值、低ESR(等效串联电阻)系列,适用于需要高频滤波、信号耦合或谐振电路的场景。其制造工艺采用先进的陶瓷材料技术,确保了在高频条件下具有稳定的性能表现。
该电容器支持表面贴装技术 (SMT),适合自动化生产和严苛的工作环境。其小型化设计有助于节省电路板空间,同时保持出色的电气性能。
封装:0805
容量:10pF
额定电压:50V
公差:±0.5pF
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
介质材料:C0G/NP0
尺寸(长×宽×高):2.0mm × 1.25mm × 1.25mm
频率特性:适用于高达GHz级别的射频应用
ESR(等效串联电阻):<10mΩ
绝缘电阻:大于1000MΩ
GA0805H103MBXBR31G 具备以下显著特点:
1. 高Q值和低ESR,使其非常适合用于高频电路中的滤波和匹配网络。
2. C0G/NP0 类型的介质材料保证了其在宽温度范围内具有极其稳定的电容值变化特性。
3. 小巧的0805封装设计,便于实现高密度组装,并且与大多数现代PCB布局兼容。
4. 良好的抗潮湿和抗机械应力能力,可满足工业级或汽车级应用的需求。
5. 完全符合RoHS标准,绿色环保无铅设计。
6. 支持高速自动贴片机装配,提升生产效率。
该型号电容器广泛应用于以下领域:
1. 射频前端模块(RF FEM),包括功率放大器、低噪声放大器和天线开关等。
2. 微波通信设备中的滤波和信号耦合。
3. 无线通信系统中的谐振回路。
4. 高速数据传输线路的去耦电容。
5. 汽车电子中的高频滤波及信号调理。
6. 工业自动化设备中的电源滤波及信号隔离。
7. 医疗设备中的高频电路组件。
GA0805H103MBXAR31G
GA1206H103MBXBR31G
KMS0805N100J103MC
C0G103K50B0805Y5V