GA0805A8R2CXEBP31G 是一种基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,属于增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)。该型号以其高效率、高频开关能力及紧凑尺寸著称,适用于需要高性能功率转换的场景。它采用表面贴装封装形式,支持大电流和高电压操作。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:8A
栅极阈值电压:1.5V~4V
导通电阻:70mΩ(典型值)
开关频率:高达5MHz
结温范围:-55℃至+175℃
GA0805A8R2CXEBP31G 拥有卓越的电气性能,包括低导通电阻和快速开关速度,能够显著降低功耗并提升系统效率。
其基于 GaN 的材料结构具备更高的击穿电场强度和热导率,相比传统硅器件在高频应用中表现更加优异。
此外,该芯片还具有良好的电磁兼容性和抗噪能力,使其适合复杂环境下的工业和消费类应用。
该芯片广泛应用于高频 AC/DC 和 DC/DC 转换器、无线充电模块、电机驱动电路以及电动汽车充电设备等。
在电信基础设施领域,它可以用于基站电源和信号放大器;在消费电子领域,适合于快充适配器和笔记本电脑电源设计。
GA0805A8R2CXBQ21G
GA0805A8R2CXEBP11G