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GA0805A8R2CXEBP31G 发布时间 时间:2025/6/3 18:26:58 查看 阅读:3

GA0805A8R2CXEBP31G 是一种基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,属于增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)。该型号以其高效率、高频开关能力及紧凑尺寸著称,适用于需要高性能功率转换的场景。它采用表面贴装封装形式,支持大电流和高电压操作。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:8A
  栅极阈值电压:1.5V~4V
  导通电阻:70mΩ(典型值)
  开关频率:高达5MHz
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

GA0805A8R2CXEBP31G 拥有卓越的电气性能,包括低导通电阻和快速开关速度,能够显著降低功耗并提升系统效率。
  其基于 GaN 的材料结构具备更高的击穿电场强度和热导率,相比传统硅器件在高频应用中表现更加优异。
  此外,该芯片还具有良好的电磁兼容性和抗噪能力,使其适合复杂环境下的工业和消费类应用。

应用

该芯片广泛应用于高频 AC/DC 和 DC/DC 转换器、无线充电模块、电机驱动电路以及电动汽车充电设备等。
  在电信基础设施领域,它可以用于基站电源和信号放大器;在消费电子领域,适合于快充适配器和笔记本电脑电源设计。

替代型号

GA0805A8R2CXBQ21G
  GA0805A8R2CXEBP11G

GA0805A8R2CXEBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容8.2 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-