GA0805A8R2CBEBR31G 是一种基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高频、高效功率转换应用设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于 DC-DC 转换器、电源适配器以及其他需要高性能功率管理的场景。
相比传统的硅基 MOSFET,GaN 器件能够在更高的频率下运行,同时保持较低的损耗,从而显著提高系统的效率和功率密度。
型号:GA0805A8R2CBEBR31G
类型:GaN HEMT
封装:Chipscale Package (CSP)
最大漏源电压:650V
最大栅极电压:6V
导通电阻(典型值):40mΩ
连续漏极电流:8A
开关频率范围:高达 5MHz
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
GA0805A8R2CBEBR31G 的主要特性包括:
1. 高效性能:得益于 GaN 技术,该器件在高频操作中表现出卓越的效率和更低的热损耗。
2. 快速开关速度:与传统硅基 MOSFET 相比,其开关速度更快,能够支持更高的工作频率,从而减小无源元件的尺寸。
3. 低寄生电感:采用 CSP 封装,最大限度地减少了寄生效应,提高了整体性能。
4. 紧凑型设计:由于其高频能力,可实现更小型化的功率转换系统。
5. 高可靠性:经过严格测试,确保在宽泛的工作温度范围内具备出色的稳定性和耐用性。
这些特性使 GA0805A8R2CBEBR31G 成为现代高效功率转换应用的理想选择。
GA0805A8R2CBEBR31G 广泛应用于以下领域:
1. 电源适配器:用于便携式设备如笔记本电脑和智能手机的充电解决方案。
2. 数据中心电源:提供高效的 AC-DC 和 DC-DC 转换功能。
3. 汽车电子:适用于电动汽车车载充电器(OBC)和 DC-DC 转换器。
4. 工业电源:用于高效率、高密度的工业级电源供应。
5. 可再生能源:例如太阳能逆变器中的功率模块。
通过利用其高频和高效性能,该器件可帮助设计工程师实现更紧凑、更轻量化且更具成本效益的电力电子系统。
GAN0805A8R2CBEBR21G
GAN0806A8R2CBEBR31G