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GA0805A8R2CBEBR31G 发布时间 时间:2025/5/15 17:32:49 查看 阅读:15

GA0805A8R2CBEBR31G 是一种基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高频、高效功率转换应用设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于 DC-DC 转换器、电源适配器以及其他需要高性能功率管理的场景。
  相比传统的硅基 MOSFET,GaN 器件能够在更高的频率下运行,同时保持较低的损耗,从而显著提高系统的效率和功率密度。

参数

型号:GA0805A8R2CBEBR31G
  类型:GaN HEMT
  封装:Chipscale Package (CSP)
  最大漏源电压:650V
  最大栅极电压:6V
  导通电阻(典型值):40mΩ
  连续漏极电流:8A
  开关频率范围:高达 5MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

GA0805A8R2CBEBR31G 的主要特性包括:
  1. 高效性能:得益于 GaN 技术,该器件在高频操作中表现出卓越的效率和更低的热损耗。
  2. 快速开关速度:与传统硅基 MOSFET 相比,其开关速度更快,能够支持更高的工作频率,从而减小无源元件的尺寸。
  3. 低寄生电感:采用 CSP 封装,最大限度地减少了寄生效应,提高了整体性能。
  4. 紧凑型设计:由于其高频能力,可实现更小型化的功率转换系统。
  5. 高可靠性:经过严格测试,确保在宽泛的工作温度范围内具备出色的稳定性和耐用性。
  这些特性使 GA0805A8R2CBEBR31G 成为现代高效功率转换应用的理想选择。

应用

GA0805A8R2CBEBR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 电源适配器:用于便携式设备如笔记本电脑和智能手机的充电解决方案。
  2. 数据中心电源:提供高效的 AC-DC 和 DC-DC 转换功能。
  3. 汽车电子:适用于电动汽车车载充电器(OBC)和 DC-DC 转换器。
  4. 工业电源:用于高效率、高密度的工业级电源供应。
  5. 可再生能源:例如太阳能逆变器中的功率模块。
  通过利用其高频和高效性能,该器件可帮助设计工程师实现更紧凑、更轻量化且更具成本效益的电力电子系统。

替代型号

GAN0805A8R2CBEBR21G
  GAN0806A8R2CBEBR31G

GA0805A8R2CBEBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容8.2 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-