时间：2025/5/29 19:38:09
阅读：25
GA0805A8R2CBBBR31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频和高功率应用而设计。该器件采用先进的封装工艺，具有低寄生电感和出色的热性能，能够显著提高电源转换效率并减少系统尺寸。
这款 GaN 器件适用于要求高性能、高效能和快速开关的应用场景，例如 DC-DC 转换器、无线充电模块以及激光雷达驱动等。
额定电压：650V
连续漏极电流：8A
导通电阻：28mΩ
栅极电荷：45nC
开关频率：高达 5MHz
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：LFPAK88
GA0805A8R2CBBBR31G 具有以下显著特点：
1. 高击穿电压：650V 的耐压能力使其适合高压应用场景。
2. 极低导通电阻：仅为 28mΩ，有助于降低传导损耗，提升整体效率。
3. 快速开关性能：由于其超低的栅极电荷（45nC），可以实现 MHz 级别的开关速度。
4. 出色的热管理：优化的封装设计使得热量更容易散发，从而提高了器件在高负载条件下的可靠性。
5. 小型化设计：与传统硅基 MOSFET 相比，GaN 技术允许使用更小体积的元件，同时保持相同的电气性能。
6. 零反向恢复电荷：消除了因体二极管引起的能量损失问题。
该型号广泛应用于以下领域：
1. 高频 DC-DC 转换器
2. 开关电源（SMPS）
3. 电动汽车充电基础设施
4. 工业电机驱动
5. 激光雷达脉冲驱动
6. 无线电力传输设备
7. 太阳能微型逆变器
GAN063-650WSA
GAN10T650QA
Transphorm TP65H090G4LS
EPC2016C
