时间：2025/6/16 15:13:29
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GA0805A821JBABR31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用增强型 GaN HEMT 技术，具有极低的导通电阻和快速开关性能，适用于高频 AC/DC 和 DC/DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路以及无线充电系统等。其封装形式为行业标准的表面贴装类型，确保了优秀的散热性能和可靠的电气连接。
与传统硅基 MOSFET 相比，GA0805A821JBABR31G 提供更高的工作频率、更低的开关损耗和更小的物理尺寸，是现代高效能电源设计的理想选择。
额定电压：650V
额定电流：8A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：7nC
反向恢复时间：无（由于 GaN 特性，无体二极管效应）
最大工作结温：175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
1. 基于增强型氮化镓技术，具备高击穿电压和低导通电阻特性。
2. 支持高达 2MHz 的开关频率，适合高频应用场景。
3. 极低的栅极电荷和输出电容，减少开关损耗并提升整体效率。
4. 具备优异的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长期运行。
5. 内置 ESD 保护功能，提高产品在实际使用中的抗静电能力。
6. 封装形式紧凑，节省 PCB 空间并简化设计布局。
1. 高效 AC/DC 和 DC/DC 转换器设计。
2. 功率因数校正 (PFC) 应用，包括图腾柱 PFC 拓扑。
3. 无线充电发射端及接收端模块。
4. 电动汽车充电设备和车载充电器。
5. 工业电源和通信电源中的高频逆变器。
6. 消费电子适配器和快充解决方案。
7. LED 驱动电源和其他高频开关电源领域。
GaN065R040A, GS66508T
