时间：2025/6/5 10:16:23
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GA0805A820FXCBP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。该芯片采用先进的沟槽式结构设计，具备低导通电阻和快速开关特性，从而显著提升系统效率并降低功耗。
其封装形式为表面贴装型，适合高密度组装需求，同时具备出色的热性能和电气稳定性，能够在严苛的工作环境下保持可靠运行。
型号：GA0805A820FXCBP31G
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ（典型值，@Vgs=10V）
总栅极电荷(Qg)：40nC
输入电容(Ciss)：2500pF
输出电容(Coss)：120pF
反向传输电容(Crss)：100pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少导通损耗并提高效率。
2. 快速的开关速度，支持高频应用。
3. 高电流承载能力，满足大功率应用需求。
4. 先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了电气特性和热性能。
5. 表面贴装封装，简化 PCB 设计与制造流程。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 工业设备中的负载切换控制。
5. 汽车电子系统中的高可靠性功率管理。
6. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关应用。
IRFZ44N
STP80NF06L
FDP17N60
