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GA0805A681GXBBP31G 发布时间 时间:2025/5/12 20:26:01 查看 阅读:6

GA0805A681GXBBP31G 是一款高性能的功率晶体管,属于 MOSFET 类型。该型号广泛应用于需要高效率和低导通电阻的应用场景中。其主要特点是具有较低的导通电阻、较高的开关速度以及良好的热性能。
  该器件采用先进的制造工艺,能够提供卓越的电气性能,适用于各种工业及消费类电子产品中的功率转换与控制。

参数

类型:MOSFET
  极性:N-Channel
  Vds(漏源电压):80V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):5mΩ
  Id(持续漏电流):68A
  栅极电荷:29nC
  开关频率:高达 1MHz
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

GA0805A681GXBBP31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 良好的热稳定性,可确保在极端温度条件下稳定运行。
  4. 高电流承载能力,满足大功率应用场景需求。
  5. 封装设计坚固耐用,便于散热管理。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。

应用

这款功率 MOSFET 常用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动
  4. 太阳能逆变器
  5. 电池管理系统(BMS)
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块
  7. 汽车电子中的负载切换

替代型号

GA0805A681GXBBD31G
  IRFZ44N
  FDP5800
  IXFN60N08T2

GA0805A681GXBBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-