GA0805A681GXBBP31G 是一款高性能的功率晶体管,属于 MOSFET 类型。该型号广泛应用于需要高效率和低导通电阻的应用场景中。其主要特点是具有较低的导通电阻、较高的开关速度以及良好的热性能。
该器件采用先进的制造工艺,能够提供卓越的电气性能,适用于各种工业及消费类电子产品中的功率转换与控制。
类型:MOSFET
极性:N-Channel
Vds(漏源电压):80V
Rds(on)(导通电阻,典型值):5mΩ
Id(持续漏电流):68A
栅极电荷:29nC
开关频率:高达 1MHz
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
GA0805A681GXBBP31G 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
3. 良好的热稳定性,可确保在极端温度条件下稳定运行。
4. 高电流承载能力,满足大功率应用场景需求。
5. 封装设计坚固耐用,便于散热管理。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
这款功率 MOSFET 常用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 电池管理系统(BMS)
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
7. 汽车电子中的负载切换
GA0805A681GXBBD31G
IRFZ44N
FDP5800
IXFN60N08T2