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GA0805A680JBEBR31G 发布时间 时间:2025/5/29 12:05:18 查看 阅读:12

GA0805A680JBEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的半导体制造工艺,适用于高效率开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能,能够显著提升电路的整体效率和可靠性。
  该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET,主要设计用于中高压应用场景,其封装形式为行业标准类型,便于焊接和安装。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻(典型值):68mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关时间:ton=50ns, toff=40ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-247

特性

GA0805A680JBEBR31G 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高整体效率。
  2. 快速开关速度,降低了开关损耗,适合高频开关应用。
  3. 出色的热稳定性,能够在高温环境下长期可靠运行。
  4. 高击穿电压 (V(BR)DSS),确保在高压条件下安全工作。
  5. 栅极鲁棒性强,可承受较高的 dv/dt 和浪涌电流冲击。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子设备的需求。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
  2. 工业电机驱动和控制电路。
  3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
  4. 各类 DC-DC 转换器和升压/降压电路。
  5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电保护电路。
  6. LED 照明驱动电路和其他需要高效功率开关的应用场景。

替代型号

GA0805A680JBEHR31G, IRFP460, FDP5800

GA0805A680JBEBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容68 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-