GA0805A680GBBBR31G 是一款高性能的功率半导体芯片,属于 MOSFET 类型。该型号主要用于开关电源、电机驱动、逆变器等应用中,能够实现高效的电能转换和控制。其设计旨在提供高效率和低损耗,同时具备良好的热性能和可靠性。
该器件采用了先进的制程工艺制造,具有较低的导通电阻(Rds(on))和快速的开关速度,适合高频应用场景。此外,它还集成了多种保护功能,如过流保护和短路保护,以提高系统的稳定性和安全性。
类型:MOSFET
极性:N-Channel
Vds(漏源电压):650V
Rds(on)(导通电阻):68mΩ
Id(连续漏极电流):14A
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55℃ to +175℃
栅极电荷(Qg):65nC
输入电容(Ciss):1940pF
GA0805A680GBBBR31G 具有以下主要特性:
1. 采用新一代硅技术制造,具备较低的 Rds(on),从而减少导通损耗。
2. 快速开关速度使其适用于高频电路,可有效降低开关损耗。
3. 高 Vds 耐压能力,确保在高压环境下的可靠运行。
4. 内置多重保护机制,包括短路保护和过温保护,增强了器件的鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且支持绿色能源应用。
6. 封装坚固耐用,适合表面贴装或通孔安装方式。
该型号广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制,例如家用电器中的风扇、泵浦等。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
4. 工业设备中的功率管理模块。
5. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)。
6. 各类需要高效功率转换和控制的应用场景。
IRFP460, STP17NF50, FQP17N65C