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GA0805A680GBBBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 18:22:25 查看 阅读:4

GA0805A680GBBBR31G 是一款高性能的功率半导体芯片,属于 MOSFET 类型。该型号主要用于开关电源、电机驱动、逆变器等应用中,能够实现高效的电能转换和控制。其设计旨在提供高效率和低损耗,同时具备良好的热性能和可靠性。
  该器件采用了先进的制程工艺制造,具有较低的导通电阻(Rds(on))和快速的开关速度,适合高频应用场景。此外,它还集成了多种保护功能,如过流保护和短路保护,以提高系统的稳定性和安全性。

参数

类型:MOSFET
  极性:N-Channel
  Vds(漏源电压):650V
  Rds(on)(导通电阻):68mΩ
  Id(连续漏极电流):14A
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  栅极电荷(Qg):65nC
  输入电容(Ciss):1940pF

特性

GA0805A680GBBBR31G 具有以下主要特性:
  1. 采用新一代硅技术制造,具备较低的 Rds(on),从而减少导通损耗。
  2. 快速开关速度使其适用于高频电路,可有效降低开关损耗。
  3. 高 Vds 耐压能力,确保在高压环境下的可靠运行。
  4. 内置多重保护机制,包括短路保护和过温保护,增强了器件的鲁棒性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且支持绿色能源应用。
  6. 封装坚固耐用,适合表面贴装或通孔安装方式。

应用

该型号广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制,例如家用电器中的风扇、泵浦等。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
  4. 工业设备中的功率管理模块。
  5. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)。
  6. 各类需要高效功率转换和控制的应用场景。

替代型号

IRFP460, STP17NF50, FQP17N65C

GA0805A680GBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容68 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-