时间：2025/5/21 23:36:01
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GA0805A561JXCBR31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，适用于高频开关应用。该器件采用先进的 GaN 技术，提供卓越的开关速度和低导通电阻特性，从而优化了系统能效并减少了散热需求。
这款晶体管通常用于电源转换器、DC-DC 转换器、无线充电设备以及其他需要高效能量转换的应用场景。
型号：GA0805A561JXCBR31G
类型：增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压（Vds）：650 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
导通电阻（Rds(on)）：40 mΩ（典型值，@Vgs=10V）
连续漏极电流（Id）：8 A
栅极电荷（Qg）：30 nC（典型值）
反向恢复电荷（Qrr）：< 30 nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-4L
1. 高开关频率支持：得益于 GaN 材料的固有特性，该器件可实现高达数 MHz 的开关频率，适合高频应用。
2. 低导通电阻：40 mΩ 的典型导通电阻显著降低了导通损耗，提升了整体效率。
3. 快速开关性能：较低的栅极电荷和反向恢复电荷确保了快速的开关切换，减少开关损耗。
4. 热稳定性强：能够在 -55°C 至 +175°C 的宽温范围内稳定运行，适用于极端环境下的应用。
5. 小尺寸封装：TO-247-4L 封装设计使得其具有良好的散热性能，同时节省电路板空间。
6. 可靠性高：符合 JEDEC 标准的静电防护设计，提升了产品的抗静电能力。
1. 开关电源（SMPS）：用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中，提高效率和功率密度。
2. 充电器与适配器：特别是在快充领域，能够支持高功率密度和快速充电功能。
3. 电机驱动：在工业自动化或家用电器中用作高效驱动元件。
4. 无线充电：在无线充电发射端和接收端中使用，提升能量传输效率。
5. 太阳能逆变器：作为关键功率级组件，实现高效的能量转换。
6. 数据中心供电模块：满足高性能计算和数据中心对高效率供电的需求。
GAN060-650E
GXT080-650P
KPG65R040Q
GS665AD
TNG65D040KPA
