型号：GA0805A470FBCBT31G
　　封装：0805
　　电容量：4.7nF
　　额定电压：50V
　　公差：±10%
　　介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
　　直流偏置特性：低
　　绝缘电阻：大于 1000MΩ
　　损耗因数：小于 0.10@1kHz

GA0805A470FBCBT31G 的主要特性在于其稳定的性能表现。它采用 X7R 介质材料，这种材料能够在较宽的温度范围内保持相对稳定的电容值，并且对直流偏置的影响较小。
　　此外，这款电容器具有紧凑的尺寸 (0805 封装)，非常适合用于空间有限的设计环境。同时，它的高可靠性使得它可以在恶劣的工作条件下长时间运行，例如在高温或低温环境下依然能提供稳定的性能输出。
　　由于采用了先进的制造工艺，GA0805A470FBCBT31G 还具备较低的寄生效应，从而减少了高频应用中的信号失真问题。这使其成为射频电路、电源管理模块以及其他精密电子设备的理想选择。

GA0805A470FBCBT31G 广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于以下领域：
　　- 高频滤波器设计，特别是在射频通信设备中用于抑制干扰信号。
　　- 去耦电容，为数字芯片和其他敏感电路提供稳定的电源电压。
　　- 在音频放大器中用于旁路高频噪声，以提高声音质量。
　　- 工业控制设备中的信号调节电路，用于消除不必要干扰信号。
　　- 消费类电子产品如智能手机、平板电脑等的小型化电路板设计。

Kemet C0805C470J5RAC7806
　　Taiyo Yuden TMQ0805C470K500AT
　　AVX 08051C470J5RAC7806