时间：2025/6/4 18:48:56
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GA0805A271JBABR31G 是一款由 Rohm 公司生产的功率 MOSFET 芯片，属于 Advanced MOSFET 系列。该器件采用沟槽式技术制造，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
这款芯片以高效率和可靠性著称，能够在高频应用中提供卓越的性能表现，同时支持紧凑型设计，适合对空间要求严格的现代电子设备。
类型：N沟道 MOSFET
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
最大漏源电压（Vds）：40 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：113 A
导通电阻（Rds(on)）：0.55 mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总栅极电荷（Qg）：29 nC
切换频率：高达 2 MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
GA0805A271JBABR31G 的主要特点是其超低的导通电阻（Rds(on)），这使其在高效功率传输方面表现出色。
此外，该器件还具备以下特点：
- 极低的开关损耗，有助于提升系统整体效率。
- 快速开关速度，能够适应高频应用场景。
- 高雪崩能量能力，增强了系统的可靠性和鲁棒性。
- 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到各种设计中。
- 小型化封装，节省 PCB 空间，非常适合便携式和高密度应用。
这些特点使得 GA0805A271JBABR31G 成为许多高性能功率转换电路的理想选择。
GA0805A271JBABR31G 广泛应用于以下领域：
- 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
- DC-DC 转换器中的高端和低端开关。
- 电池保护和负载开关，特别是在电动工具和工业设备中。
- 电机驱动电路，用于控制无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机。
- 通信电源、服务器电源以及汽车电子系统的功率管理模块。
由于其高效率和紧凑设计，该芯片特别适合需要小型化和高效能的现代电子产品。
GA0805A271JBAR31G
IPA60R089P7S
IRL3803TRPBF
