GA0805A221KBEBR31G 是一款由东芝(Toshiba)生产的沟道型 N 沟道功率 MOSFET 芯片。该器件采用 U-MOS IX 技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。其封装形式为 LFPAK56 (PowerSON 8x8),适合表面贴装工艺,能够有效降低寄生电感并提升散热性能。
该芯片通过优化的结构设计,能够在高频工作条件下保持高效能表现,同时具备出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:79A
导通电阻(典型值):1.4mΩ
栅极电荷:57nC
输入电容:2560pF
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:LFPAK56 (PowerSON 8x8)
SOA(安全工作区):在不同脉冲宽度下支持大电流运行
GA0805A221KBEBR31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够显著降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关性能,有助于减少开关损耗,并适应高频应用场景。
3. 高额定电流能力,适合大功率输出需求。
4. 采用紧凑型表面贴装封装,节省 PCB 空间且易于自动化生产。
5. 支持高温工作环境,确保在严苛条件下的可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
7. 内置反向二极管,简化电路设计并增强抗干扰能力。
8. 优异的 SOA 性能,确保在短时过载情况下的安全性。
GA0805A221KBEBR31G 广泛应用于以下领域:
1. 工业设备中的 DC-DC 转换器和逆变器。
2. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统。
3. 通信设备中的负载开关和电源模块。
4. 家用电器的大功率电机驱动控制。
5. 太阳能光伏逆变器中的功率转换电路。
6. 各种需要高性能功率开关的应用场景,如不间断电源(UPS)、焊接设备和 LED 驱动器。
由于其出色的性能和可靠性,这款 MOSFET 在需要高效功率传输和快速响应的应用中表现出色。
GA0805A221KEBR31G, IPW70R014C6, IRFH7721TRPBF