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GA0805A221JXEBT31G 发布时间 时间:2025/6/4 2:42:03 查看 阅读:4

GA0805A221JXEBT31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,主要用于高频和高效率的应用场景。该器件采用了先进的 GaN-on-Silicon 技术,能够提供更高的开关速度和更低的导通电阻,适合于电源转换、DC-DC 转换器以及各类高频功率应用。
  该型号中的部分字符代表了具体的封装形式、电压等级、电流能力以及其他特定参数,例如工作温度范围和性能优化方向。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:4A
  导通电阻:220mΩ
  栅极电荷:35nC
  反向恢复时间:无(由于是 GaN 器件,无体二极管)
  开关频率:高达 5MHz
  结温范围:-40℃ 至 +150℃

特性

GA0805A221JXEBT31G 具备卓越的高频性能和低损耗特点,主要特性如下:
  1. 高开关速度:得益于氮化镓材料的特性,其开关速度远超传统硅基 MOSFET,支持 MHz 级别的工作频率。
  2. 极低导通电阻:220mΩ 的 Rds(on) 确保了在大电流应用场景下的低功耗。
  3. 高效率:适用于硬开关和软开关拓扑,显著提升系统整体效率。
  4. 小型化设计:GaN 技术允许更小的芯片尺寸,同时保持高性能。
  5. 可靠性高:具备良好的热稳定性和抗电磁干扰能力,适合严苛环境下的应用。

应用

该元器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):
   - AC-DC 和 DC-DC 转换器
   - PFC(功率因数校正)电路
  2. 快速充电器:
   - USB-PD 充电器
   - 小型高效充电模块
  3. 无线充电:
   - 高效谐振电路
  4. 激光雷达和其他高频信号处理:
   - 脉冲调制电路
   - 微波功率放大器
  5. 工业应用:
   - LED 驱动器
   - 电机驱动器
   - 不间断电源(UPS)

替代型号

GA0805A221JXEBT32G, GA0805A221JXEBT30G

GA0805A221JXEBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容220 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-