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GA0805A221JBABT31G 发布时间 时间:2025/6/4 19:41:55 查看 阅读:7

GA0805A221JBABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率控制的电子设备中。
  该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。此外,其坚固的设计使其能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。

参数

型号:GA0805A221JBABT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  漏源极击穿电压(Vds):60V
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V~4V
  最大漏极电流(Id):75A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  总功耗(Ptot):150W
  工作温度范围:-55℃~175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA0805A221JBABT31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高整体效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 出色的热稳定性,在高温环境下依然能够保持良好的性能。
  4. 高雪崩能量承受能力,增强了器件的可靠性。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 内置ESD保护功能,提高了器件的抗静电能力。
  这些特点使得该器件在各种电力电子应用中表现出色。

应用

GA0805A221JBABT31G适用于多种电力电子领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 太阳能逆变器中的功率调节。
  5. 各类工业控制设备中的功率管理模块。
  6. 电动汽车及混合动力汽车的动力系统。
  由于其强大的性能和广泛的适用性,这款芯片成为众多工程师设计选择的理想解决方案。

替代型号

IRFZ44N
  STP75NF06L
  FDP75N6S
  IXYS40N60P2
  SUP75P06TN

GA0805A221JBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容220 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-