时间：2025/6/21 2:35:55
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GA0805A221GXBBC31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频和高功率密度应用而设计。该器件采用了先进的增强型 GaN 工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。它适用于开关电源、DC-DC 转换器、无线充电模块以及其他高效率电力电子系统。
额定电压：650V
额定电流：8A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：40nC
输入电容：950pF
反向恢复时间：无反向恢复
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
1. 基于增强型氮化镓技术，提供卓越的效率和功率密度。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 有效减少传导损耗。
3. 快速开关能力使得能够在高频条件下保持高效率。
4. 集成保护功能，例如过温关断和短路保护，增强了系统的可靠性。
5. 小型封装设计降低了整体电路板空间需求。
6. 支持宽范围的工作电压和电流，适应多种应用场景。
1. 开关模式电源 (SMPS)。
2. DC-DC 转换器和升压/降压拓扑。
3. 无线充电设备中的功率传输模块。
4. 消费类电子产品中的快充适配器。
5. 电机驱动和工业自动化控制。
6. 高频逆变器和光伏逆变器。
GA0805A221GXBBE21G
GAN063-650WSA
Transphorm TP65H050WS
