时间：2025/7/14 18:19:59
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GA0805A1R0CBCBT31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率晶体管。该器件采用先进的封装工艺，具有高效率、高频性能和低导通电阻的特点，非常适合应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效能量转换的场景。
该型号中的关键参数表明其额定电压和电流适用于中等功率应用，同时氮化镓材料的使用显著降低了开关损耗，提高了整体系统效率。
型号：GA0805A1R0CBCBT31G
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
额定电压：650 V
额定电流：8 A
导通电阻（Rds(on)）：120 mΩ（典型值，25°C）
栅极阈值电压：1.5 V 至 3.5 V
最大工作结温：175°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
1. 高效的氮化镓技术，提供更低的导通电阻和开关损耗。
2. 增强型设计，确保器件在正向栅极电压下导通，在零或负栅极电压下关断。
3. 超快的开关速度，能够支持高达几兆赫兹的工作频率。
4. 热性能优异，适合高功率密度的应用。
5. 小型化的封装设计，有助于节省电路板空间。
6. 内置ESD保护功能，提高器件的鲁棒性。
7. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动及控制
4. 光伏逆变器
5. 无线充电设备
6. 快速充电适配器
7. 工业自动化与机器人控制
8. 汽车电子辅助系统
GAN0606HPB, GAH008T150L
