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GA0805A150FXEBC31G 发布时间 时间:2025/6/4 2:38:06 查看 阅读:5

GA0805A150FXEBC31G 是一款基于砷化镓(GaAs)工艺制造的高频射频放大器芯片,主要用于通信系统中的信号增强和功率放大。该芯片具有高增益、低噪声和良好的线性度特点,适用于无线通信、卫星通信及雷达系统等应用领域。
  此器件采用表面贴装封装技术,能够有效提升电路板的空间利用率,并且具备优良的散热性能。通过优化内部电路设计,该芯片在高频段表现出色,能够满足现代通信设备对高性能射频组件的需求。

参数

型号:GA0805A150FXEBC31G
  类型:射频放大器
  工艺:砷化镓(GaAs)
  工作频率范围:8GHz 至 12GHz
  增益:15dB(典型值)
  输出功率:+20dBm(1% P1dB压缩点)
  电源电压:+5V
  静态电流:200mA(典型值)
  封装形式:SMT表面贴装
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
  存储温度范围:-55℃ 至 +125℃

特性

1. 高增益和低噪声:
  该芯片在8GHz至12GHz的工作频率范围内提供了高达15dB的增益,并且其噪声系数较低,确保了信号传输过程中的高质量。
  2. 宽带性能:
  GA0805A150FXEBC31G能够在较宽的频率范围内保持稳定的性能,使其非常适合需要覆盖多个频段的应用场景。
  3. 高线性度:
  此可以有效减少信号失真,提高系统的整体性能。
  4. 良好的散热性能:
  采用先进的封装技术和内部结构设计,确保了芯片在高功率运行时仍能保持较低的工作温度。
  5. 易于集成:
  由于采用了表面贴装封装,该芯片可以方便地集成到各种复杂的电子系统中,同时节省了PCB空间。

应用

1. 无线通信:
  包括蜂窝基站、微波链路和无线局域网(WLAN)等应用。
  2. 卫星通信:
  用于地面站接收机和发射机中的信号放大。
  3. 雷达系统:
  如气象雷达、交通管理雷达以及军事用途的雷达设备。
  4. 测试与测量:
  在频谱分析仪、网络分析仪等测试设备中用作信号增强。
  5. 其他高频射频应用:
  例如广播电视、射电天文观测等领域。

替代型号

GA0805A150FXEBC21G
  GA0805A160FXEBC31G
  GA0805A150FXEBC41G

GA0805A150FXEBC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容15 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-