您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA0805A122JXABC31G

GA0805A122JXABC31G 发布时间 时间:2025/5/30 21:13:13 查看 阅读:12

GA0805A122JXABC31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,适用于高频和高功率密度的应用场景。该器件采用先进的封装工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力等特性,广泛应用于电源转换、射频放大器以及工业控制等领域。
  其设计优化了热性能和电气性能,能够显著提高系统效率并减少能量损耗。

参数

型号:GA0805A122JXABC31G
  类型:增强型功率晶体管
  材料:氮化镓(GaN)
  最大漏源电压(Vds):650V
  连续漏极电流(Id):8A
  导通电阻(Rds(on)):120mΩ
  栅极电荷(Qg):40nC
  开关频率范围:最高支持到10MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247-4L

特性

GA0805A122JXABC31G 的主要特点是利用氮化镓材料的优势,提供更高的效率和更小的体积解决方案。
  1. 高开关速度:由于其极低的栅极电荷,使得该晶体管在高频应用中表现优异,可以有效降低开关损耗。
  2. 低导通电阻:120mΩ 的 Rds(on) 可以减少传导损耗,从而提升整体效率。
  3. 耐高压能力:650V 的最大漏源电压使其适用于多种高电压场景。
  4. 热性能优秀:优化的封装设计提高了散热能力,允许在较高温度下稳定运行。
  5. 小尺寸与轻量化:相比传统硅基器件,GaN 技术可大幅减小系统的物理尺寸和重量。

应用

GA0805A122JXABC31G 广泛用于需要高效能和紧凑设计的领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动控制器
  3. 太阳能逆变器
  4. 工业自动化设备中的功率模块
  5. 射频功率放大器
  6. 数据中心服务器电源
  7. 电动汽车充电基础设施

替代型号

GA1006B150HXF23G
  GS0904C180LXCD16G
  GN1208D200KXEF32G

GA0805A122JXABC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-