GA0805A120FBBBR31G 是一款高性能、低功耗的功率 MOSFET,采用先进的制造工艺,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件具有高可靠性、快速开关速度和较低的导通电阻,能够有效提升系统效率并降低发热。其封装形式为 LFPAK88,支持表面贴装技术 (SMT),便于自动化生产和提高电路板空间利用率。
型号:GA0805A120FBBBR31G
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):80V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):120A
导通电阻(Rds(on)):4.2mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷(Qg):79nC(典型值)
输入电容(Ciss):3340pF(典型值)
反向传输电容(Crss):220pF(典型值)
输出电容(Coss):125pF(典型值)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装:LFPAK88
GA0805A120FBBBR31G 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在大电流应用中减少功率损耗。
2. 高速开关性能,适用于高频开关电源设计。
3. 强大的电流承载能力,可满足高功率应用需求。
4. 内置 ESD 保护功能,提高了器件在恶劣环境中的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
6. 支持高效的热管理和散热设计,确保长期稳定运行。
GA0805A120FBBBR31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS),如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动和控制,包括无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机。
3. 汽车电子系统,例如电动助力转向 (EPS) 和制动系统。
4. 工业自动化设备中的负载切换和功率管理。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
6. 各类高效能功率放大器和音频设备中的开关元件。
GA0805A120FBBBR21G
GA0805A120FBBBR41G
IRFP260N
FDP150N10A