GA0805A101FXEBP31G 是一款由 Rohm 公司生产的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻和快速开关性能,可显著提升电路的能效并降低发热量。
该型号属于 GA 系列功率 MOSFET,特别适合要求高可靠性和高效率的应用场合。通过优化的芯片设计,其在高频工作环境下表现出优异的性能,同时具备出色的抗浪涌能力和鲁棒性。
额定电压:60V
额定电流:24A
导通电阻:1.2mΩ(典型值)
栅极电荷:16nC(最大值)
反向恢复时间:30ns
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装形式:LFPAK33
GA0805A101FXEBP31G 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
2. 快速开关性能,适用于高频应用,能够有效降低开关损耗。
3. 高度集成的保护功能,例如过温保护和短路保护,提升了器件的可靠性。
4. 宽广的工作温度范围,使其能够在极端环境条件下正常运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代绿色设计需求。
6. 小型化封装 LFPAK33,有助于节省 PCB 空间并简化布局设计。
GA0805A101FXEBP31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器设计,用于高效能量转换。
2. DC-DC 转换器,特别是需要高效率和小体积的设计。
3. 电机驱动和控制电路,提供稳定的电流输出和保护功能。
4. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. LED 驱动器和其他照明相关应用。
GA0805A101FXEBP32G
IRF7846TRPBF
FDP069N06L