GA0805A101FXBBC31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为紧凑型表面贴装,适合高密度电路板设计。
型号:GA0805A101FXBBC31G
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压:50V
最大连续漏极电流:8A
导通电阻(典型值):5mΩ
栅极电荷:25nC
开关时间:开启延迟时间12ns,上升时间9ns,关断延迟时间24ns,下降时间8ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装:TO-252(DPAK)
GA0805A101FXBBC31G 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高速开关能力,适用于高频开关应用。
3. 较低的栅极电荷和输出电容,减少驱动损耗。
4. 采用DPAK封装,提供良好的散热性能。
5. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
这款MOSFET特别适合要求高效率和高可靠性的应用场景,例如笔记本电脑适配器、LED照明驱动和工业电源等。
GA0805A101FXBBC31G 主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
2. DC-DC转换器的同步整流和主开关。
3. 电池充电管理电路。
4. 电机驱动和控制。
5. 逆变器和不间断电源(UPS)。
由于其出色的电气特性和可靠性,该器件成为许多高效能电子设备的理想选择。
IRFZ44N, AO3400A, FDP5570