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GA0805A101FXBBC31G 发布时间 时间:2025/6/4 19:42:30 查看 阅读:5

GA0805A101FXBBC31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为紧凑型表面贴装,适合高密度电路板设计。

参数

型号:GA0805A101FXBBC31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压:50V
  最大连续漏极电流:8A
  导通电阻(典型值):5mΩ
  栅极电荷:25nC
  开关时间:开启延迟时间12ns,上升时间9ns,关断延迟时间24ns,下降时间8ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装:TO-252(DPAK)

特性

GA0805A101FXBBC31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频开关应用。
  3. 较低的栅极电荷和输出电容,减少驱动损耗。
  4. 采用DPAK封装,提供良好的散热性能。
  5. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  这款MOSFET特别适合要求高效率和高可靠性的应用场景,例如笔记本电脑适配器、LED照明驱动和工业电源等。

应用

GA0805A101FXBBC31G 主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
  2. DC-DC转换器的同步整流和主开关。
  3. 电池充电管理电路。
  4. 电机驱动和控制。
  5. 逆变器和不间断电源(UPS)。
  由于其出色的电气特性和可靠性,该器件成为许多高效能电子设备的理想选择。

替代型号

IRFZ44N, AO3400A, FDP5570

GA0805A101FXBBC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容100 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-