GA0805A100KXEBC31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用了先进的封装快速开关速度的特点,适合用于电源管理、DC-DC转换器、无线充电以及电机驱动等应用领域。
这款 GaN 功率晶体管具有出色的热性能和电气特性,能够显著提升系统的整体效率并减少热量积累。其高可靠性设计使其能够在严苛的工作条件下长期稳定运行。
型号:GA0805A100KXEBC31G
类型:增强型场效应晶体管(e-mode HEMT)
材料:氮化镓(GaN)
导通电阻:100 mΩ(典型值)
漏源电压:650 V
连续漏极电流:8 A
栅极电荷:40 nC(典型值)
反向恢复电荷:无(由于 GaN 技术特点)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装形式:TO-247
GA0805A100KXEBC31G 具备以下关键特性:
1. 高开关频率支持:得益于氮化镓材料的优异性能,该晶体管可支持高达数 MHz 的开关频率,从而实现更紧凑的电路设计。
2. 超低导通电阻:仅 100 mΩ 的导通电阻可以大幅降低导通损耗,提高系统效率。
3. 快速开关性能:短的开关时间和低栅极电荷使器件在高频操作时表现优异。
4. 热稳定性强:即使在高负载或高温环境下,也能保持稳定的性能输出。
5. 可靠性高:通过了多项严格测试,包括高压测试、高温存储和循环寿命测试,确保长期使用的可靠性。
6. 小型化封装:采用 TO-247 封装,有助于节省 PCB 空间,同时提供良好的散热性能。
GA0805A100KXEBC31G 广泛应用于以下领域:
1. 高效 DC-DC 转换器:
适用于服务器、通信设备和工业电源中的高效能量转换。
2. 开关电源(SMPS):
可用于消费电子、家电及工业设备的电源模块中。
3. 无线充电系统:
因其高频特性和高效率,非常适合用于无线充电器的设计。
4. 电机驱动:
在电动车窗、风扇和其他小型电机控制中表现出色。
5. 光伏逆变器:
用于太阳能发电系统的电力调节和优化。
6. 固态照明(SSL)驱动:
用于 LED 照明的恒流和恒压驱动方案。
GAN060-650WSA
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