时间：2025/6/26 14:11:19
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GA0805A100GBABR31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，属于增强型场效应晶体管（eGaN FET）。该器件采用先进的 GaN 技术制造，具备高开关速度、低导通电阻和高效率等特性。它专为高频开关应用而设计，能够显著提升功率转换系统的性能。
这款芯片适用于多种工业、汽车及消费电子领域中的电源管理场景，例如 DC-DC 转换器、无线充电系统以及电机驱动等。
类型：增强型场效应晶体管 (eGaN FET)
导通电阻（Rds(on)）：100mΩ
击穿电压（Vds）：600V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V 至 4V
最大漏极电流（Id）：8A
封装形式：DFN8
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
1. 高开关频率支持：由于其超低寄生电容和快速开关能力，可以实现高达 MHz 级别的开关频率，从而减小无源元件体积并提高功率密度。
2. 低导通损耗：极低的 Rds(on) 值减少了传导过程中的能量损失，提升了整体效率。
3. 热性能优异：具备良好的散热能力，能在高温环境下保持稳定运行。
4. 小尺寸封装：采用紧凑的 DFN8 封装，有助于节省 PCB 空间。
5. 强大的耐压能力：高达 600V 的击穿电压确保了在高压环境下的可靠性。
6. 快速瞬态响应：动态特性优秀，可迅速适应负载变化，适用于复杂的电源管理系统。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电发射端与接收端
4. LED 驱动电路
5. 电池管理系统（BMS）
6. 汽车电子中的逆变器和电机驱动
7. 光伏逆变器及其他高效能源转换设备
GAN066-650WSA, GAH008R65BA
