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GA0805A100FBCBT31G 发布时间 时间:2025/6/3 19:27:14 查看 阅读:6

GA0805A100FBCBT31G 是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,适用于多种工业和消费类电子设备。
  其封装形式为 TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT),能够有效降低热阻并提高散热性能。

参数

类型:N沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压 VDS:80V
  最大栅源电压 VGS:±20V
  连续漏极电流 ID:50A
  导通电阻 RDS(on):4mΩ
  总功耗:150W
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装:TO-263 (D2PAK)

特性

GA0805A100FBCBT31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on))确保了在高电流应用中减少功耗和发热。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于现代高效能电源设计。
  3. 高电流承载能力,使其能够在大功率应用场景下保持稳定。
  4. 提供卓越的热性能,结合 TO-263 封装,能够有效地将热量散发到 PCB 或散热片。
  5. 工作温度范围宽广,适应恶劣环境下的运行需求。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. DC-DC 转换器和同步整流器。
  4. 太阳能逆变器和储能系统。
  5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
  6. 汽车电子系统中的电池管理系统(BMS)。

GA0805A100FBCBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容10 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-