您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA0603Y821KBXAT31G

GA0603Y821KBXAT31G 发布时间 时间:2025/6/3 19:25:16 查看 阅读:3

GA0603Y821KBXAT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,采用先进的制造工艺设计,主要用于功率转换和开关应用。该器件具有低导通电阻、高效率和快速开关速度等特点,适用于各种工业和消费类电子产品中的电源管理场景。
  该型号属于沟道增强型 MOSFET 系列,其优化的性能参数使其成为高频开关应用的理想选择,同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型:MOSFET
  极性:N-Channel
  漏源电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):8.2mΩ
  栅极电荷(Qg):45nC
  功耗(PD):180W
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

GA0603Y821KBXAT31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用,减少开关损耗。
  3. 高额定漏极电流 (Id),可支持大功率负载需求。
  4. 良好的热性能和封装设计,有助于提高整体系统的散热性能。
  5. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

该型号广泛应用于多种领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 工业逆变器
  5. 电动车和混合动力车的电池管理系统
  6. 太阳能逆变器等新能源设备
  7. 各种需要高效功率转换的消费类电子设备

替代型号

GA0603Y821KBT31G, IRFZ44N, FDP069N06L

GA0603Y821KBXAT31G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

GA0603Y821KBXAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-