时间：2025/5/22 13:32:08
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GA0603Y561MXAAC31G 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。该型号属于沟道型 MOSFET，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于需要快速开关和低损耗的应用场合。
其设计采用了先进的半导体工艺技术，能够提供稳定的电气性能，并具备良好的热稳定性和抗干扰能力。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：38A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：175W
结温范围(Tj)：-55℃ to 150℃
封装形式：TO-247-3
GA0603Y561MXAAC31G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低导通损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场景。
3. 强大的电流承载能力，确保在大电流条件下运行稳定。
4. 良好的热性能表现，有助于延长器件寿命并提升可靠性。
5. 支持宽范围的工作温度，适应各种严苛环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
该芯片的主要应用领域包括但不限于以下：
1. 开关电源 (SMPS) 的主开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流器。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 新能源汽车及电动工具的动力管理系统。
IRFZ44N
STP36NF06L
FDP5500
AO3400
