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GA0603Y222MBBAR31G 发布时间 时间:2025/6/3 19:25:28 查看 阅读:7

GA0603Y222MBBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于沟槽式 MOSFET 系列。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。
  该器件具有优异的电气特性,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。此外,其封装设计紧凑,适合空间受限的应用场景。

参数

型号:GA0603Y222MBBAR31G
  类型:N-Channel Power MOSFET
  Vds(漏源极电压):60V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):2.2mΩ
  Id(持续漏极电流):80A
  Qg(栅极电荷):45nC
  Eoss(输出电容能量损耗):170nJ
  Vgs(th)(阈值电压):2.2V
  Tj(结温范围):-55°C 至 +175°C
  封装:TO-247-3L

特性

GA0603Y222MBBAR31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在高电流应用中显著减少功率损耗。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于开关电源和 DC-DC 转换器。
  3. 高雪崩耐量,确保在异常工作条件下仍能保持可靠性。
  4. 出色的热性能,有助于提高系统的稳定性和寿命。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  6. 适用于高效率、高功率密度的设计需求。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 AC-DC 适配器。
  2. 工业电机驱动和逆变器控制。
  3. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统。
  4. 通信设备中的负载开关和保护电路。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
  6. 各种高效能 DC-DC 转换器设计。

替代型号

IRF3205
  FDP5500
  STP10NK60Z

GA0603Y222MBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-