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GA0603Y122MXBAP31G 发布时间 时间:2025/6/4 2:34:22 查看 阅读:5

GA0603Y122MXBAP31G 是一款高性能的工业级 MOSFET 场效应晶体管,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  其封装形式为 TO-252 (DPAK),适合表面贴装技术(SMT),能够在紧凑的设计中提供卓越的性能表现。

参数

型号:GA0603Y122MXBAP31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):3.4A
  导通电阻(Rds(on)):45mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):1.3W
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

GA0603Y122MXBAP31G 具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻:在 Vgs=10V 的条件下,Rds(on) 仅为 45mΩ,从而减少了传导损耗,提升了系统效率。
  2. 高开关速度:由于其内部结构优化,该 MOSFET 支持快速开关操作,适用于高频应用。
  3. 热稳定性强:能够在高达 +150℃ 的环境温度下稳定运行,满足严苛工况需求。
  4. ESD保护:内置静电放电保护功能,提高了器件的可靠性和抗干扰能力。
  5. 小型化设计:采用 TO-252 表面贴装封装,节省 PCB 空间,便于自动化生产。

应用

该芯片的主要应用场景包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率转换。
  2. 直流无刷电机(BLDC)驱动器中的开关元件。
  3. LED 驱动电路中的负载切换。
  4. 工业控制设备中的信号隔离与放大。
  5. 各类电池管理系统(BMS)中的充放电保护电路。
  此外,它还适用于消费电子、汽车电子以及其他需要高效功率管理的领域。

替代型号

IRLZ44N, AO3400, FDMQ8203

GA0603Y122MXBAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-