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GA0603Y122JBBAT31G 发布时间 时间:2025/5/27 17:34:22 查看 阅读:9

GA0603Y122JBBAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率电源转换和开关应用设计。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,适用于多种工业和消费电子领域。其封装形式为 TO-263(D2PAK),能够提供卓越的散热性能和可靠性。
  该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、LED 驱动以及各种开关电源场景中,支持高频开关操作,从而实现更高效的功率转换。

参数

型号:GA0603Y122JBBAT31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  Vds(漏源电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):3.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  Id(连续漏极电流):31A
  Pd(总功耗):140W
  f(工作频率):高达 1MHz
  封装:TO-263 (D2PAK)
  结温范围:-55°C 至 +175°C
  栅极电荷:9nC(典型值)
  输入电容:1200pF(典型值)

特性

GA0603Y122JBBAT31G 的主要特性包括以下内容:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用场合,减少开关损耗。
  3. 具备优异的热性能,可承受高功率密度。
  4. 高雪崩能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子产品的制造要求。
  6. 稳定的工作性能,在宽温度范围内表现一致。
  7. 提供可靠的电气隔离,避免干扰和噪声影响。
  这些特点使该芯片成为需要高效功率管理解决方案的理想选择。

应用

GA0603Y122JBBAT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的主开关管。
  2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  3. LED 照明系统的恒流驱动。
  4. 工业设备中的负载切换。
  5. 消费类电子产品中的电池充电管理。
  6. 可再生能源系统(如太阳能逆变器)中的功率转换模块。
  由于其出色的性能,该芯片特别适合需要高效率和高频工作的场景。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  AO3400

GA0603Y122JBBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-