时间：2025/5/24 13:01:45
阅读：13
GA06031G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动以及负载切换等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低能量损耗并提升系统性能。
其封装形式为 PQFN3*3-14L，具备出色的散热性能和紧凑的体积，非常适合对空间要求较高的设计。
型号：GA0603H681JXXAC31G
类型：N沟道功率MOSFET
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：3.5mΩ
Id（连续漏极电流）：27A
Qg（栅极电荷）：20nC
EAS（雪崩能量）：145μJ
工作温度范围：-55℃至175℃
封装：PQFN3*3-14L
GA0603H681JXXAC31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（3.5mΩ），可有效减少功率损耗。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高度可靠的雪崩能力，确保在异常情况下仍能正常工作。
4. 紧凑型封装设计，节省PCB空间。
5. 支持高达27A的连续漏极电流，适用于大功率应用场景。
6. 工作温度范围宽广（-55℃至175℃），适应各种环境条件。
7. 优异的热性能表现，有助于提高系统的整体稳定性。
GA0603H681JXXAC31G 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换与保护。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 充电器及适配器中的高效功率转换部分。
6. 各种需要高性能功率开关的应用场景。
GA0603H682JXXAC31G, IRF6690, FDN340P
