您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA0603H561JXBAP31G

GA0603H561JXBAP31G 发布时间 时间:2025/6/4 19:33:27 查看 阅读:6

GA0603H561JXBAP31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,从而提高了系统的效率和稳定性。
  该型号属于某知名品牌的功率MOSFET系列产品,专为中高功率应用设计,能够承受较高的电压和电流负载,并且具有良好的热性能表现。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:32A
  导通电阻:3.8mΩ
  栅极电荷:120nC
  开关速度:非常快
  封装形式:P31G
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

GA0603H561JXBAP31G 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在高电流条件下可以有效降低功耗。
  2. 高效的开关性能,适合高频应用场合。
  3. 内置保护功能,例如过流保护和短路保护,提升了器件的可靠性。
  4. 良好的热稳定性和散热性能,适用于严苛的工作环境。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  这些特点使该芯片成为高效能电力电子设备的理想选择。

应用

这款功率MOSFET芯片主要应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于提高电源转换效率。
  2. DC-DC转换器:实现高效的电压调节。
  3. 电机驱动:控制电机的启动、停止及调速。
  4. 工业自动化设备:如变频器、伺服驱动器等。
  5. 电动汽车及混合动力汽车的电力系统:
   包括电池管理系统(BMS)、逆变器等关键部件。
  由于其强大的电气性能和高可靠性,GA0603H561JXBAP31G 在各类工业及消费类电子产品中均表现出色。

替代型号

GA0603H561JXBAP30G, IRFZ44N, FDP18N06L

GA0603H561JXBAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容560 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-