时间：2025/6/13 11:38:34
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GA0603H392KXXAC31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，采用先进的半导体制造工艺。该型号属于沟道型 MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
该器件通过优化栅极电荷设计，降低了开关损耗，同时具备良好的电气稳定性和抗干扰能力，使其成为高效功率转换应用的理想选择。
型号：GA0603H392KXXAC31G
类型：N-Channel MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：39A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
栅极电荷(Qg)：78nC
工作温度范围：-55°C to +175°C
封装形式：TO-247-3
总功耗(Ptot)：250W
GA0603H392KXXAC31G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流和耐压能力，适用于高功率密度场景。
3. 快速开关特性，支持高频操作，降低开关损耗。
4. 优秀的热性能，能够承受较高的结温，确保在恶劣环境下可靠运行。
5. 内置静电防护设计，提高抗 ESD 能力，增强稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保，满足国际环保要求。
该 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换。
2. 电机驱动电路，例如电动车窗、电动工具等。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 不间断电源（UPS）系统的逆变器模块。
5. LED 照明驱动电路。
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关应用。
GA0603H392KXXAC31A, IRFZ44N, FDP55N06L
