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GA0603H272JXAAC31G 发布时间 时间:2025/6/4 2:30:26 查看 阅读:6

GA0603H272JXAAC31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,在保证高效率的同时具备较低的导通电阻和快速开关特性。它广泛应用于电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景。

参数

型号:GA0603H272JXAAC31G
  类型:N-Channel MOSFET
  漏源极击穿电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):2.7mΩ
  栅极电荷(Qg):54nC
  总功耗(Ptot):160W
  封装形式:TO-247-3
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

GA0603H272JXAAC31G 的主要特点是其低导通电阻(Rds(on))仅为 2.7mΩ,这可以显著减少功率损耗并提高系统效率。
  此外,该器件的栅极电荷较小,有助于实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
  其额定电流高达 30A,并支持高达 60V 的漏源极电压,使其非常适合需要大电流处理能力的应用场景。
  该芯片还具有出色的热稳定性和可靠性,能够适应严苛的工作环境,例如高温或高压条件下的长时间运行。
  同时,TO-247-3 封装提供了良好的散热性能,便于在高功率密度设计中使用。

应用

GA0603H272JXAAC31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
  3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
  4. 太阳能逆变器和电池管理系统 (BMS) 中的关键组件。
  5. 高效功率放大器和其他需要低导通电阻和快速开关特性的应用。

替代型号

IRFZ44N
  FDP55N06L
  STP30NF06
  AO3400A

GA0603H272JXAAC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2700 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-