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GA0603H222MBBAR31G 发布时间 时间:2025/5/27 14:04:20 查看 阅读:10

GA0603H222MBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于各种电力电子设备中,如开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等。其封装形式为表面贴装型,便于自动化生产和散热管理。

参数

型号:GA0603H222MBBAR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  Vds(最大漏源电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):2.2mΩ
  Id(连续漏极电流):30A
  Qg(栅极电荷):35nC
  fT(截止频率):2.4MHz
  Vgs(th)(栅极开启电压):2.5V
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-263

特性

GA0603H222MBBAR31G具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少导通损耗。
  2. 快速开关速度,适用于高频应用场合。
  3. 高电流承载能力,确保在高负载条件下的稳定运行。
  4. 良好的热性能,有助于提高系统的整体效率。
  5. 宽广的工作温度范围,适应多种环境条件。
  6. 小型化封装,简化PCB布局设计。

应用

该芯片广泛应用于各类电力电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS),用于提高效率和减小体积。
  2. 电机驱动电路,提供高效的功率控制。
  3. DC-DC转换器,实现直流电压的高效转换。
  4. 太阳能逆变器中的功率调节模块。
  5. 各类工业设备中的功率管理单元。
  6. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。

替代型号

GA0603H222MBBAR31G, IRFZ44N, FDP5800, AO3400

GA0603H222MBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-