时间：2025/5/21 21:21:19
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GA0603H222JXBAP31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，属于沟道增强型场效应晶体管系列。该型号主要应用于需要高效率和低导通电阻的场景，例如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等。其设计能够承受较高的电压和电流，并具备出色的热性能和快速开关特性。
该器件采用先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和栅极电荷，有助于降低功耗并提高系统整体效率。
类型：MOSFET
封装：TO-247
Vds（漏源极间额定电压）：600V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：220mΩ
Id（连续漏极电流）：15A
Ptot（总功耗）：280W
Vgs（栅源极间额定电压）：±20V
Qg（总栅极电荷量）：35nC
fmax（最大工作频率）：100kHz
1. 高击穿电压，支持高达600V的工作环境。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），在大电流应用中减少损耗。
3. 快速开关特性，适合高频操作。
4. 内置保护机制，如过流保护和热关断功能，提高了系统的可靠性。
5. TO-247 封装，提供良好的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适用于多种工业应用场景。
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
2. DC-DC 转换器的核心元件。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
4. 工业设备中的负载切换与保护电路。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备中的功率调节模块。
6. 各类高压和高频开关应用中的关键组件。
IRFP460N
STP30NF60
FDP18N60
