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GA0603H222JBBAT31G 发布时间 时间:2025/6/5 22:56:53 查看 阅读:28

GA0603H222JBBAT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,属于增强型 N 沟道场效应晶体管。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于各种功率转换和电源管理场景中。它适用于需要高效能和高可靠性的电路设计,例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:3.5A
  导通电阻:22mΩ
  栅极电荷:12nC
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃
  封装形式:SOT-23

特性

GA0603H222JBBAT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了更低的功耗和更高的效率。
  2. 快速的开关性能使得其非常适合高频开关应用。
  3. 高度可靠的电气性能在极端温度条件下也能保持稳定。
  4. 小巧的 SOT-23 封装使其非常适用于空间受限的设计环境。
  5. 具备良好的抗静电能力,ESD 防护等级符合国际标准要求。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

GA0603H222JBBAT31G 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
  2. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
  3. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和控制电路。
  4. 各种工业自动化设备中的小型电机驱动控制。
  5. 汽车电子系统中的信号切换和功率调节功能。
  6. LED 驱动电路以及其他低功率应用中的开关控制元件。

替代型号

AO3400
  IRLML6402
  FDS8947

GA0603H222JBBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-