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GA0603H123MBAAR31G 发布时间 时间:2025/5/24 21:36:26 查看 阅读:15

GA0603H123MBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、低损耗的应用场景设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和快速开关特性,适用于各种电源管理及转换电路。其封装形式优化了散热性能,使其在高频工作条件下仍能保持稳定的电气特性。
  该芯片主要应用于消费电子、工业控制以及通信设备中的 DC-DC 转换器、电机驱动器和开关电源等领域。

参数

类型:功率 MOSFET
  封装:TO-252 (DPAK)
  耐压:60V
  导通电阻:3.5mΩ(典型值)
  连续漏极电流:35A(@25°C)
  栅极电荷:40nC(典型值)
  输入电容:1800pF(典型值)
  总功耗:27W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

GA0603H123MBAAR31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,减少了开关过程中的能量损失,适合高频应用。
  3. 具备良好的热稳定性,能够承受较宽的工作温度范围。
  4. 高雪崩能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  5. 封装形式紧凑,便于 PCB 布局设计,同时提供优异的散热性能。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保,适用于现代电子产品的严格要求。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(Switching Power Supplies),如适配器、充电器等。
  2. 各类 DC-DC 转换器,用于电压调节和电源管理。
  3. 电机驱动器,特别是小功率无刷直流电机的控制。
  4. 工业自动化设备中的功率级控制。
  5. 电池管理系统(BMS),用于保护和监测电池状态。
  6. 汽车电子中的负载切换和逆变器电路。
  7. LED 照明驱动器,确保高效的光源供电方案。

替代型号

IRFZ44N, AO3400A, FDP17N60C

GA0603H123MBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-