时间：2025/5/20 21:38:47
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GA0603A561KBAAR31G 是一款由东芝（Toshiba）生产的高压 MOSFET 芯片，主要用于功率转换和开关应用。该芯片采用 TO-263 封装形式，具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种工业及消费类电子设备中的电源管理场景。
该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，能够在高频条件下提供高效的开关性能，并且具备较低的静态功耗，适合用于 DC-DC 转换器、逆变器以及电机驱动等应用领域。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：3.8A
栅极阈值电压：4V
导通电阻：1.6Ω
总功耗：17W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
1. 高电压能力，支持高达 600V 的漏源电压，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 1.6Ω，有助于降低传导损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，能够显著减少开关损耗，提升整体系统效率。
4. 内置静电放电 (ESD) 保护功能，增强了芯片在实际应用中的可靠性。
5. 采用 TO-263 表面贴装封装，易于安装并且散热性能优越。
6. 支持宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃)，适应各种严苛的工作条件。
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 电池充电器
6. 工业自动化设备中的负载开关
7. LED 照明驱动电路
IRF640N
FQP18N60C
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