GA0603A390KBCAT31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管。该器件适用于高频开关应用,如电源适配器、充电器和 DC-DC 转换器等场景。它采用了增强型 GaN HEMT 技术,具备低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力的特点,能够显著提升系统的功率密度和效率。
型号:GA0603A390KBCAT31G
类型:增强型功率晶体管
材料:氮化镓 (GaN)
漏源电压 (Vds):600V
连续漏极电流 (Id):3.9A
导通电阻 (Rds(on)):0.65Ω
栅极电荷 (Qg):28nC
输入电容 (Ciss):420pF
输出电容 (Coss):75pF
反向传输电容 (Crss):22pF
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
GA0603A390KBCAT31G 具备以下主要特性:
1. 高击穿电压:600V 的额定漏源电压使其适合高压应用场景。
2. 低导通电阻:仅为 0.65Ω,能够降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能:得益于低栅极电荷和优化的寄生电容设计,支持 MHz 级别的开关频率。
4. 小尺寸封装:采用紧凑型封装设计,有助于减少 PCB 占用面积。
5. 高可靠性:经过严格的测试流程,确保在恶劣环境下的稳定运行。
6. 宽温工作范围:支持从 -55°C 到 +150°C 的工作温度区间,适应多种工况需求。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 消费电子领域:快充适配器、无线充电设备等。
2. 工业电源:高频 DC-DC 转换器、逆变器等。
3. 通信设备:基站电源模块、电信级供电单元。
4. 计算机及外设:服务器电源、笔记本电脑适配器。
5. 可再生能源:光伏微型逆变器、储能系统中的功率转换组件。
GA0603A390KBCAT32G, GA0603A390KBCAT33G