GA0603A390FXAAP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提高系统的效率和可靠性。
型号:GA0603A390FXAAP31G
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):39A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):85nC(典型值)
开关时间:开通延迟时间(t_d(on)):17ns,关断传播时间(t_d(off)):48ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247-3
GA0603A390FXAAP31G 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,可有效降低导通损耗。
2. 快速的开关速度,适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力,确保在异常情况下具备更高的可靠性。
4. 热稳定性优异,能够在高温环境下长期稳定运行。
5. 提供了优化的栅极驱动设计,便于与各种控制器配合使用。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
7适用于工业和汽车领域。
GA0603A390FXAAP31G 广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于:
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 汽车电子系统,如 DC-DC 转换器、启动马达控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
6. 各种需要高效功率转换的场合。
GA0603A360FXAAP31G, IRF3205, FDP16N60E