GA0603A221GBBAT31G 是一款高性能的存储芯片,属于 NAND Flash 类型。该芯片主要应用于需要大容量数据存储的场景,例如固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘、记忆卡等。它采用先进的制造工艺,具有高密度、低功耗和快速读写速度的特点。该型号支持多级单元(MLC)或三级单元(TLC)技术,能够有效提升数据存储效率和可靠性。
该芯片通常具备较强的纠错能力和较长的数据保持时间,适合在工业级和消费级产品中使用。其封装形式为标准 BGA(球栅阵列),便于集成到各种电子设备中。
容量:32GB
接口类型:Toggle DDR 2.0
工作电压:1.8V
数据传输速率:400MT/s
擦写寿命:3000 次(TLC)
封装形式:BGA
工作温度范围:-25°C 至 +85°C
引脚数:169
GA0603A221GBBAT31G 的主要特性包括:
1. 高密度存储能力,能够在较小的体积内实现大容量数据存储。
2. 支持高速数据传输接口 Toggle DDR 2.0,提供更快的读写性能。
3. 采用 TLC 技术,在成本和性能之间取得平衡。
4. 内置 ECC(错误检查与纠正)功能,确保数据的准确性和完整性。
5. 较宽的工作温度范围,适用于多种环境条件下的应用。
6. 良好的兼容性,可轻松集成到现有系统架构中。
这款芯片广泛应用于以下领域:
1. 固态硬盘(SSD)
2. USB 闪存盘
3. 记忆卡(如 microSD 卡、SD 卡等)
4. 工业控制设备中的数据记录模块
5. 消费类电子产品(如平板电脑、智能手机等)中的存储扩展
6. 网络存储设备(NAS)
7. 嵌入式系统的本地存储解决方案
GA0603A161GBBAT31G, GA0603A321GBBAT31G