时间：2025/6/3 23:36:24
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GA0603A221GBBAT31G 是一款高性能的存储芯片，属于 NAND Flash 类型。该芯片主要应用于需要大容量数据存储的场景，例如固态硬盘（SSD）、USB 闪存盘、记忆卡等。它采用先进的制造工艺，具有高密度、低功耗和快速读写速度的特点。该型号支持多级单元（MLC）或三级单元（TLC）技术，能够有效提升数据存储效率和可靠性。
该芯片通常具备较强的纠错能力和较长的数据保持时间，适合在工业级和消费级产品中使用。其封装形式为标准 BGA（球栅阵列），便于集成到各种电子设备中。
容量：32GB
接口类型：Toggle DDR 2.0
工作电压：1.8V
数据传输速率：400MT/s
擦写寿命：3000 次（TLC）
封装形式：BGA
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
引脚数：169
GA0603A221GBBAT31G 的主要特性包括：
1. 高密度存储能力，能够在较小的体积内实现大容量数据存储。
2. 支持高速数据传输接口 Toggle DDR 2.0，提供更快的读写性能。
3. 采用 TLC 技术，在成本和性能之间取得平衡。
4. 内置 ECC（错误检查与纠正）功能，确保数据的准确性和完整性。
5. 较宽的工作温度范围，适用于多种环境条件下的应用。
6. 良好的兼容性，可轻松集成到现有系统架构中。
这款芯片广泛应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）
2. USB 闪存盘
3. 记忆卡（如 microSD 卡、SD 卡等）
4. 工业控制设备中的数据记录模块
5. 消费类电子产品（如平板电脑、智能手机等）中的存储扩展
6. 网络存储设备（NAS）
7. 嵌入式系统的本地存储解决方案
GA0603A161GBBAT31G, GA0603A321GBBAT31G
