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GA0603A221GBBAT31G 发布时间 时间:2025/6/3 23:36:24 查看 阅读:4

GA0603A221GBBAT31G 是一款高性能的存储芯片,属于 NAND Flash 类型。该芯片主要应用于需要大容量数据存储的场景,例如固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘、记忆卡等。它采用先进的制造工艺,具有高密度、低功耗和快速读写速度的特点。该型号支持多级单元(MLC)或三级单元(TLC)技术,能够有效提升数据存储效率和可靠性。
  该芯片通常具备较强的纠错能力和较长的数据保持时间,适合在工业级和消费级产品中使用。其封装形式为标准 BGA(球栅阵列),便于集成到各种电子设备中。

参数

容量:32GB
  接口类型:Toggle DDR 2.0
  工作电压:1.8V
  数据传输速率:400MT/s
  擦写寿命:3000 次(TLC)
  封装形式:BGA
  工作温度范围:-25°C 至 +85°C
  引脚数:169

特性

GA0603A221GBBAT31G 的主要特性包括:
  1. 高密度存储能力,能够在较小的体积内实现大容量数据存储。
  2. 支持高速数据传输接口 Toggle DDR 2.0,提供更快的读写性能。
  3. 采用 TLC 技术,在成本和性能之间取得平衡。
  4. 内置 ECC(错误检查与纠正)功能,确保数据的准确性和完整性。
  5. 较宽的工作温度范围,适用于多种环境条件下的应用。
  6. 良好的兼容性,可轻松集成到现有系统架构中。

应用

这款芯片广泛应用于以下领域:
  1. 固态硬盘(SSD)
  2. USB 闪存盘
  3. 记忆卡(如 microSD 卡、SD 卡等)
  4. 工业控制设备中的数据记录模块
  5. 消费类电子产品(如平板电脑、智能手机等)中的存储扩展
  6. 网络存储设备(NAS)
  7. 嵌入式系统的本地存储解决方案

替代型号

GA0603A161GBBAT31G, GA0603A321GBBAT31G

GA0603A221GBBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容220 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-