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GA0603A220GBBAT31G 发布时间 时间:2025/6/4 20:03:47 查看 阅读:5

GA0603A220GBBAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的半导体制造工艺。该芯片主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。其设计旨在提供高效率、低导通电阻以及快速开关特性,适合在高频应用中使用。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,具有出色的热性能和电气性能,可显著提高系统的整体效率和可靠性。

参数

型号:GA0603A220GBBAT31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):31A
  导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ
  栅极电荷(Qg):58nC
  输入电容(Ciss):2940pF
  开关速度:快速
  封装形式:TO-247

特性

GA0603A220GBBAT31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 高电流承载能力,支持高达 31A 的连续漏极电流,适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关性能,具备较低的栅极电荷 (Qg),从而减少开关损耗。
  4. 优异的热稳定性,能够承受较高的结温,确保在严苛环境下的可靠运行。
  5. 紧凑且坚固的 TO-247 封装,易于安装并提供良好的散热性能。
  6. 宽工作电压范围,适合多种电源转换和电机驱动应用。

应用

GA0603A220GBBAT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 逆变器和 UPS 系统中的关键功率元件。
  4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率管理。
  6. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 中的电池管理系统 (BMS) 和电机控制器。

替代型号

IRFP2907ZPBF, FDP177N65A, STW85N60DM2

GA0603A220GBBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容22 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-