GA0603A1R0BXBAC31G 是一款由 GeneSiC Semiconductor 生产的碳化硅 (SiC) 基肖特基二极管。这种器件采用先进的 SiC 技术,具有卓越的耐高温、高频和高效率性能,广泛应用于工业电源、新能源汽车充电系统及太阳能逆变器等领域。
该型号属于 GeneSiC 的 Gen2 系列产品,主要设计用于高功率密度和高效率要求的应用场景。其封装形式为 D2PAK(TO-263),适合表面贴装工艺,同时具备良好的散热性能。
额定电压:650V
额定电流:3A
正向压降:≤1.4V(典型值 1.2V @ 3A)
反向恢复时间:≤25ns
结电容:≤18pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:D2PAK(TO-263)
GA0603A1R0BXBAC31G 的主要特点是基于碳化硅材料制造,与传统硅基二极管相比,它能够显著降低开关损耗和导通损耗,同时支持更高的工作温度和频率。以下为具体特性:
1. 高效率:由于较低的正向压降和几乎为零的反向恢复电荷,使得该二极管在高频应用中表现出优异的效率。
2. 耐高温能力:可承受高达 175°C 的结温,适用于极端环境下的运行。
3. 快速开关:极短的反向恢复时间(<25ns)使其非常适合高频 PWM 控制电路。
4. 高可靠性:经过严格测试,确保长期稳定运行。
5. 小型化设计:采用紧凑型 D2PAK 封装,有助于减小整体系统尺寸并提升功率密度。
此型号的二极管适用于多种高效电力电子转换场合,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 光伏逆变器
3. 电动汽车车载充电器
4. DC-DC 转换器
5. 电机驱动器
6. UPS 不间断电源
凭借其优越的性能指标,GA0603A1R0BXBAC31G 成为上述应用的理想选择。
GA0603A1R0BXBAF31G