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GA0603A1R0BXBAC31G 发布时间 时间:2025/6/5 20:13:25 查看 阅读:25

GA0603A1R0BXBAC31G 是一款由 GeneSiC Semiconductor 生产的碳化硅 (SiC) 基肖特基二极管。这种器件采用先进的 SiC 技术,具有卓越的耐高温、高频和高效率性能,广泛应用于工业电源、新能源汽车充电系统及太阳能逆变器等领域。
  该型号属于 GeneSiC 的 Gen2 系列产品,主要设计用于高功率密度和高效率要求的应用场景。其封装形式为 D2PAK(TO-263),适合表面贴装工艺,同时具备良好的散热性能。

参数

额定电压:650V
  额定电流:3A
  正向压降:≤1.4V(典型值 1.2V @ 3A)
  反向恢复时间:≤25ns
  结电容:≤18pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:D2PAK(TO-263)

特性

GA0603A1R0BXBAC31G 的主要特点是基于碳化硅材料制造,与传统硅基二极管相比,它能够显著降低开关损耗和导通损耗,同时支持更高的工作温度和频率。以下为具体特性:
  1. 高效率:由于较低的正向压降和几乎为零的反向恢复电荷,使得该二极管在高频应用中表现出优异的效率。
  2. 耐高温能力:可承受高达 175°C 的结温,适用于极端环境下的运行。
  3. 快速开关:极短的反向恢复时间(<25ns)使其非常适合高频 PWM 控制电路。
  4. 高可靠性:经过严格测试,确保长期稳定运行。
  5. 小型化设计:采用紧凑型 D2PAK 封装,有助于减小整体系统尺寸并提升功率密度。

应用

此型号的二极管适用于多种高效电力电子转换场合,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 光伏逆变器
  3. 电动汽车车载充电器
  4. DC-DC 转换器
  5. 电机驱动器
  6. UPS 不间断电源
  凭借其优越的性能指标,GA0603A1R0BXBAC31G 成为上述应用的理想选择。

替代型号

GA0603A1R0BXBAF31G

GA0603A1R0BXBAC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-