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GA0603A1R0BBCAT31G 发布时间 时间:2025/6/4 20:01:25 查看 阅读:5

GA0603A1R0BBCAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于沟槽式 MOSFET 系列。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种电力电子应用。其设计旨在满足高效能电源转换需求,特别适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。

参数

类型:MOSFET
  封装形式:TO-252
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):3.4A
  导通电阻(Rds(on)):10mΩ
  栅极电荷(Qg):9nC
  开关频率:高达 2MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA0603A1R0BBCAT31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),确保在大电流应用中降低功耗并提高效率。
  2. 高速开关能力,支持高达 2MHz 的开关频率,非常适合高频电路设计。
  3. 出色的热稳定性,能够在极端温度条件下保持稳定运行。
  4. 小型化封装,节省 PCB 空间,便于高密度布局。
  5. 强大的抗静电能力 (ESD),提升产品可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。

应用

这款芯片广泛应用于各类电力电子设备中,例如:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
  3. 各种电机驱动电路。
  4. 工业自动化控制中的继电器替代方案。
  5. 消费类电子产品中的电源管理单元 (PMU)。
  6. LED 驱动器和固态照明系统。

替代型号

GA0603A1R0BB, IRFZ44N, FDP5802

GA0603A1R0BBCAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-