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GA0603A181FXBAP31G 发布时间 时间:2025/6/5 10:52:25 查看 阅读:8

GA0603A181FXBAP31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低热损耗。
  此型号属于N沟道增强型MOSFET,其设计旨在支持高电流应用,同时保持较低的功耗和出色的热稳定性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:75nC
  总电容:2.5nF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA0603A181FXBAP31G具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(1.8mΩ),有助于减少传导损耗。
  2. 快速的开关性能,适合高频应用。
  3. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下正常运行。
  4. 高雪崩能量能力,增强了器件的耐用性和可靠性。
  5. 小型封装设计,节省PCB空间,便于集成到紧凑型设计中。

应用

该芯片适用于多种电力电子领域,包括但不限于以下应用:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 工业自动化设备
  5. 太阳能逆变器
  6. 汽车电子系统中的负载切换
  由于其强大的电流处理能力和高效的工作特性,它在高功率密度的设计中表现出色。

替代型号

GA0603A181FXBAP32G
  IRFZ44N
  FDP5500
  STP30NF06L

GA0603A181FXBAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容180 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-